A method to control the quality of a buried oxide region, and to substantially reduce or eliminate deep divots in SOI substrates is provided. Specifically, the inventive method includes the steps of implanting oxygen ions into a surface of a Si-containing substrate; and annealing the Si-containing substrate containing the implanted oxygen ion at a temperature of about 1300.degree. C. or above and in a chlorine-containing ambient so as to form a buried oxide region that electrically isolates a superficial Si-containing layer from a bottom Si-containing layer. The chlorine-containing ambient employed in the annealing step includes oxygen and a chlorine-containing carrier gas such as HCl, methylene chloride, trichloroethylene and trans 1,2-dichloroethane.

Een methode om de kwaliteit van een begraven oxydegebied te controleren, wordt en wezenlijk diepe divots in substraten te verminderen of te elimineren SOI verstrekt. Specifiek, omvat de vindingrijke methode de stappen van het inplanteren van zuurstofionen in een oppervlakte van een Si-Bevattend substraat; en onthardend het Si-Bevattend substraat dat het geïnplanteerde zuurstofion bevat bij een temperatuur van ongeveer 1300.degree. C. of boven en in chloor bevattende omringend om een begraven oxydegebied te vormen dat elektrisch een oppervlakkige Si-Bevattende laag van een bodem Si-Bevattende laag isoleert. Chloor bevattende omringend aangewend in de onthardende stap omvat zuurstof en een chloor bevattend draaggas zoals HCl, methylene chloride, trichloroethyleen en trans 1.2-dichloroethane.