In a ferroelectric data processing device for processing and/or storage of data with passive or electrical addressing a data-carrying medium is used in the form of a thin film (1) of ferroelectric material which by an applied electric field is polarized to determined polarization states or switched between these and is provided as a continuous layer in or adjacent toelectrode structures in the form of a matrix. A logic element (4) is formed at the intersection between an x electrode (2) and a y electrode (3) of the electrode matrix. The logic element (4) is addressed by applying to the electrodes (2, 3) a voltage greater than the coercivity field of the ferroelectric material. Dependent on the polarization state and the form of the hysteresis loop of the ferroelectric material a distinct detection of the polarization state in the logic element (4) is obtained and it may also be possible to switch between the polarization states of the logic element, which hence may be used for implementing a bistable switch or a memory cell. The data processing device according to the invention may be stacked layerwise if the separate layers are separated by an electrical isolating layer and hence be used for implementing volumetric data processing devices.

In een ferroelectric gegevensverwerking wordt het apparaat voor verwerking en/of opslag van gegevens met passief of elektro richtend een gegeven-dragend middel gebruikt in de vorm van een dunne film (1) van ferroelectric materiaal dat door een toegepast elektrisch gebied gepolariseerd aan bepaalde polarisatiestaten of geschakeld tussen deze is en binnen als ononderbroken laag of aangrenzende toelectrodestructuren in de vorm van een matrijs verstrekt. Een logicaelement (4) wordt gevormd bij de kruising tussen een xelektrode (2) en een yelektrode (3) van de elektrodenmatrijs. Logicaelement (4) wordt gericht door op de elektroden van toepassing te zijn (2, 3) een voltage groter dan het coercivitygebied van het ferroelectric materiaal. Afhankelijk van de polarisatiestaat en de vorm van de hystereselijn van het ferroelectric materiaal wordt een verschillende opsporing van de polarisatiestaat in logicaelement (4) verkregen en het kan ook mogelijk zijn om tussen de polarisatiestaten van het logicaelement te schakelen, dat vandaar voor het uitvoeren van een bistabiele schakelaar of een geheugencel kan worden gebruikt. Het gegevensverwerkingsapparaat volgens de uitvinding kan worden gestapeld layerwise als de afzonderlijke lagen door een elektro het isoleren laag worden gescheiden en vandaar voor het uitvoeren van volumetrische gegevensverwerkingsapparaten gebruikt.