The present invention is a method and apparatus for applying proximity correction to a piece of a mask pattern, by segmenting the piece into a plurality of segments, and applying proximity correction to a first segment without taking into consideration the other segments of the piece.

La actual invención es un método y un aparato para aplicar la corrección de la proximidad a un pedazo de un patrón de máscara, dividiendo el pedazo en segmentos en una pluralidad de segmentos, y aplicando la corrección de la proximidad a un primer segmento sin tomar en la consideración los otros segmentos del pedazo.