The present invention relates to an optical waveguide circuit such as an arrayed waveguide grating, etc. A lower cladding is formed on a silicon substrate. A core having the following waveguide construction is formed thereon. That is, an input side slab waveguide is connected to the emission side of a plurality of incidence waveguides, a plurality of arrayed waveguides having different lengths form each other are juxtaposed at and connected to the emission side thereof, an output side slab waveguide is further connected to the emission side thereof, and a plurality of emission waveguides are connected to the emission side thereof, thereby causing the abovementioned waveguide construction. The upper cladding covers up the core. The cladding and core are made of silica-based glass, wherein the value B of birefringence occurring in said optical waveguide portion is .vertline.B.vertline..ltoreq.5.34.times.10.sup.-5, and .alpha.s-2.0.times.10.sup.-7.ltoreq..alpha.g .ltoreq..alpha.s+2.0.times.10.sup.-7 is established where it is assumed that the thermal expansion coefficient of the upper cladding is .alpha.g, and the thermal expansion coefficient of a silicon substrate is .alpha.s.

De onderhavige uitvinding heeft op een optische golfgeleiderkring betrekking zoals opgestelde golfgeleidergrating, enz. Een lagere bekleding wordt gevormd op een siliciumsubstraat. Een kern die de volgende golfgeleiderbouw heeft wordt daarop gevormd. Namelijk wordt een golfgeleider van de input zijplak verbonden met de emissiekant van een meerderheid van weerslaggolfgeleiders, een meerderheid van opgestelde golfgeleiders die verschillende lengtenvorm hebben elkaar aan naast elkaar wordt geplaatst en met de emissiekant daarvan verbonden, wordt een golfgeleider van de output zijplak verder daarvan verbonden met de emissiekant, en een meerderheid van emissiegolfgeleiders wordt daarvan verbonden met de emissiekant, daardoor veroorzakend de bovengenoemde golfgeleiderbouw. De hogere bekleding behandelt omhoog de kern. De bekleding en de kern worden gemaakt van op kiezelzuur-gebaseerd glas, waarin de waarde B die van dubbele breking in bovengenoemd optisch golfgeleidergedeelte is voorkomt vertline.B.vertline..ltoreq.5.34.times.10.sup.-5, en alpha.s-2.0.times.10.sup.-7.ltoreq..alpha.g ltoreq..alpha.s+2.0.times.10.sup.-7 worden vastgesteld waar men veronderstelt dat de thermische uitbreidingscoëfficiënt van de hogere bekleding alpha.g is, en de thermische uitbreidingscoëfficiënt van een siliciumsubstraat is alpha.s.