A semiconductor device of a CSP structure is obtained by forming projection electrodes on a plurality of circuit element forming areas of a semiconductor wafer substrate, and then dividing the wafer into chips. Wiring patterns connected to connection pads for signal transmission are provided on the upper surface of an insulating film formed on the circuit element forming areas, and a conductive layer connected to a connection pad connected to a ground potential is provided on the resultant structure except for on the wiring patterns and on areas near the wiring patterns. Further, a thin film circuit element may be provided at the same layer as the conductive layer or below the conductive layer.

Een halfgeleiderapparaat van een structuur CSP wordt door projectieelektroden op een meerderheid te vormen die van kringselement gebieden van een substraat van het halfgeleiderwafeltje vormt verkregen, en dan het wafeltje verdeelt in spaanders. De patronen van de bedrading die met verbindingsstootkussens worden voor worden signaaltransmissie verstrekt op de hogere oppervlakte van een isolerende film die op het kringselement wordt gevormd verbonden dat gebieden vormt, en een geleidende laag die met een verbindingsstootkussen wordt dat met een grondpotentieel wordt verbonden verbonden wordt verstrekt op de resulterende structuur behalve op de bedradingspatronen en op gebieden dichtbij de bedradingspatronen. Verder, kan een element van de dunne filmkring bij de zelfde laag zoals de geleidende laag of onder de geleidende laag worden verschaft.