A method of making an electrical interconnection from a microelectronic device to a package, comprising ball or wedge compression bonding a gold-based conductor directly to a silicon surface, such as a polysilicon bonding pad in a MEMS or IMEMS device, without using layers of aluminum or titanium disposed in-between the conductor and the silicon surface. After compression bonding, optional heating of the bond above 363 C. allows formation of a liquid gold-silicon eutectic phase containing approximately 3% (by weight) silicon, which significantly improves the bond strength by reforming and enhancing the initial compression bond. The same process can be used for improving the bond strength of Au--Ge bonds by forming a liquid Au-12Ge eutectic phase.

Een methode van een makende elektrointerconnectie van een micro-electronisch apparaat aan een pakket, dat bal of wig uit compressie bestaat die een gouden-gebaseerde leider plakt rechtstreeks op een siliciumoppervlakte, zoals een polysilicon stootkussen plakkend in een apparaat MEMS of IMEMS, zonder lagen van aluminium of titanium te gebruiken dattussen de leider en de siliciumoppervlakte wordt geschikt. Na compressie het plakken, het facultatieve staat verwarmen van de band boven 363 C. vorming van een vloeibare gouden-silicium eutectische fase die ongeveer 3% (in gewicht) bevat toe silicium, dat beduidend de bandsterkte door verbetert de aanvankelijke compressieband te hervormen en te verbeteren. Het zelfde proces kan voor het verbeteren van de bandsterkte van Au worden gebruikt -- de banden van Duitsland door een vloeibare eutectische fase te vormen Au-12Ge.