An integrated circuit and manufacturing method therefor is provided having a semiconductor substrate with a semiconductor device. A dielectric layer is on the semiconductor substrate and has an opening provided therein. A barrier layer lines the opening. An amorphized layer is formed by rapid heating of the barrier layer and rapid cooling of the semiconductor substrate. A seed layer is deposited to line the amorphized barrier layer. A conductor core fills the opening over the barrier layer to form a conductor channel. The seed layer is securely bonded to the amorphized barrier layer.

Σε ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα και σε μια μέθοδο κατασκευής γί αυτό παρέχεται έχοντας ένα υπόστρωμα ημιαγωγών μια συσκευή ημιαγωγών. Ένα διηλεκτρικό στρώμα είναι στο υπόστρωμα ημιαγωγών και παρέχει ένα άνοιγμα εκεί μέσα. Γραμμές ενός εμποδίων στρώματος το άνοιγμα. Το στρώμα διαμορφώνεται με τη γρήγορη θέρμανση του στρώματος εμποδίων και τη γρήγορη ψύξη του υποστρώματος ημιαγωγών. Ένα στρώμα σπόρου κατατίθεται για να ευθυγραμμίσει το στρώμα εμποδίων. Ένας πυρήνας αγωγών γεμίζει το άνοιγμα πέρα από το στρώμα εμποδίων για να διαμορφώσει ένα κανάλι αγωγών. Το στρώμα σπόρου συνδέεται ασφαλώς με το στρώμα εμποδίων.