A semiconductor imaging device is disclosed. The device includes a substrate having at least first and second surfaces opposing each other, and a circuit layer. The substrate is doped to exhibit a first conductivity type. The substrate includes a conducting layer, a region, and a plurality of doped regions. The conducting layer includes a first type dopants incorporated near the first surface. The region includes a heavily doped area within the substrate near the second surface. The plurality of doped regions includes a second type dopants formed on the second surface. The circuit layer is formed over the second surface to provide gate contacts to and readout circuits for the plurality of doped regions. The readout circuit provides readout of optical signals from pixels.

Приспособление воображения полупроводника показано. Приспособление вклюает субстрат имея по крайней мере сперва и вторые поверхности сопротивляясь, и слой цепи. Субстрат дан допинг для того чтобы exhibit первый тип проводимости. Субстрат вклюает дирижируя слой, зону, и множественность данных допинг зон. Дирижируя слой вклюает dopants первые типа включал почти первая поверхность. Зона вклюает тяжело данную допинг зону внутри субстрат почти вторая поверхность. Множественность данных допинг зон вклюает dopants вторые типа сформированные на второй поверхности. Слой цепи сформирован над второй поверхностью для того чтобы снабдить контакты строба и цепи считывания для множественности данных допинг зон. Цепь считывания обеспечивает считывание оптически сигналов от пикселов.