A process is described for depositing a copper film on a substrate surface by chemical vapor deposition of a copper precursor. The process includes treating a diffusion barrier layer surface and/or a deposited film with an adhesion-promoting agent and annealing the copper film to the substrate. Suitable adhesion-promoting agents include, e.g., organic halides, such as methylene chloride, diatomic chlorine, diatomic bromine, diatomic iodine, HCl, HBr and Hl. Processes of the invention provide copper-based films, wherein a texture of the copper-based films is predominantly (111). Such films provide substrates having enhanced adhesion between the diffusion barrier layer underlying the (111) film and the copper overlying the (111) film.

Um processo é descrito depositando uma película de cobre em uma superfície da carcaça pelo deposition de vapor químico de um precursor de cobre. O processo inclui o tratamento de uma superfície da camada de barreira da difusão e/ou de uma película depositada com um agente adesão-promovendo e recozer a película de cobre à carcaça. Os agentes adesão-promovendo apropriados incluem, por exemplo, os halides orgânicos, tais como o cloreto de metileno, o cloro diatomic, o bromo diatomic, o iodo diatomic, HCl, HBr e os hl. dos processos da invenção fornecem películas cobre-baseadas, wherein uma textura das películas cobre-baseadas é predominantly (111). Tais películas fornecem as carcaças que realçam a adesão entre a camada de barreira da difusão subjacente (as 111) películas e o de cobre overlying (as 111) películas.

 
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