A semiconductor memory device having a capacitor protection layer and a method for manufacturing the same. A capacitor of the semiconductor memory device is entirely covered with an encapsulating layer having a multi-layered structure. The encapsulating layer comprises at least a blocking layer and a capacitor protection layer, each of which is formed of different materials. The blocking is formed of a material capable of preventing a capacitor dielectric layer from volatilizing and/or capable of preventing a reaction between a material layer under the blocking layer and the capacitor protection layer. The capacitor protection layer is formed of a material layer capable of preventing diffusion of hydrogen into the capacitor dielectric layer. In addition, the semiconductor memory device may has a hydrogen barrier layer as another capacitor protection layer, between the capacitor and a passivation layer.

Een apparaat dat van het halfgeleidergeheugen een laag van de condensatorbescherming en een methode om het zelfde heeft te vervaardigen. Een condensator van het apparaat van het halfgeleidergeheugen is volledig behandeld met een inkapselende laag die een multi-layered structuur heeft. De inkapselende laag bestaat minstens uit een het blokkeren laag en uit een laag van de condensatorbescherming, elk waarvan van verschillende materialen wordt gevormd. Het blokkeren wordt gevormd van een materiaal geschikt om een condensator diëlektrische laag te verhinderen vluchtig te maken en/of geschikt een reactie tussen een materiële laag onder de het blokkeren laag en de laag van de condensatorbescherming te verhinderen. De laag van de condensatorbescherming wordt gevormd van een materiële laag geschikt om verspreiding van waterstof in de condensator diëlektrische laag te verhinderen. Bovendien kan het apparaat van het halfgeleidergeheugen heeft een laag van de waterstofbarrière als een andere laag van de condensatorbescherming, tussen de condensator en een passiveringslaag.