A semiconductor device formed by forming contact holes in the insulating film, that covers the source/drain of the MOSFET and the capacitor in the memory cell region, on the lower electrode of the capacitor by the same steps, then filling the plugs into the contact holes, and then forming the contact hole on the upper electrode of the capacitor. Accordingly, there can be provided the semiconductor device having the ferroelectric capacitor, capable of simplifying respective wiring connection structures to the upper electrode and the lower electrode of the capacitor by suppressing the damage to the capacitor formed over the transistor.

Un dispositif de semi-conducteur a formé en formant des trous de contact dans le film isolant, ce les couvertures le source/drain du transistor MOSFET et le condensateur dans la région de cellules de mémoire, sur l'électrode inférieure du condensateur les mêmes étapes, puis en remplissant prises dans les trous de contact, et puis en formant le trou de contact sur l'électrode supérieure du condensateur. En conséquence, là peut être fourni le dispositif de semi-conducteur ayant le condensateur ferroelectric, capable de simplifier les structures respectives de raccordement de câblage à l'électrode supérieure et à l'électrode inférieure du condensateur en supprimant les dommages au condensateur formé au-dessus du transistor.