Three terminal magnetic random access memory structures and methods. One aspect is a memory cell. One embodiment of the memory cell includes a first conductor line, a second conductor line, a third conductor line, and a magnetic storage element. The magnetic storage element is operably positioned to be magnetically coupled to first, second and third magnetic fields produced by energized first, second and third conductor lines, respectively. The magnetic storage element is adapted to be written by a vector sum of the first, second and third magnetic fields. One aspect is a method for writing to a magnetic storage device. According to one embodiment of this method, first, second and third magnetic field vectors are formed at the magnetic storage device. The magnetic storage device is written by a vector sum of the first, second and third magnetic field vectors.

Drie eind magnetische structuren en methodes van het directe toeganggeheugen. Één aspect is een geheugencel. Één belichaming van de geheugencel omvat een eerste leiderlijn, een tweede leiderlijn, een derde leiderlijn, en een magnetisch opslagelement. Het magnetische opslagelement wordt operably geplaatst om magnetisch eerst, tweede en derde worden gekoppeld aan magnetische velden die door eerst, tweede en derde geactiveerd worden veroorzaakt leiderlijnen, respectievelijk. Het magnetische opslagelement wordt aangepast om door een vectorsom eerste, tweede en derde magnetische gebieden worden geschreven. Één aspect is een methode om aan een magnetische opslaggelegenheid te schrijven. Volgens één belichaming van deze methode, worden de eerst, tweede en derde magnetisch veld vectoren gevormd bij de magnetische opslaggelegenheid. De magnetische opslaggelegenheid wordt geschreven door een vectorsom eerste, tweede en derde magnetisch veld vectoren.