A substrate-fluorescent LED having a fluorescent-impurity doped substrate and an epitaxial emission structure including an active layer and being made on the substrate. The epitaxial emission structure emits blue or green light corresponding to the band gap of the active layer. The substrate absorbs a part of the blue or green light and makes fluorescence of a longer wavelength. Neutral color light or white light is emitted from the LED. The fluorescent substrate is n-AlGaAs(Si dope), GaP(Zn+O dope), ZnSe(Cu+I, Ag+I, Al+I dope), GaN(O.C.Va(N) dope) or so.

Une LED substrat-fluorescente ayant un substrat enduit parimpureté et une structure épitaxiale d'émission comprenant une couche active et étant faits sur le substrat. La structure épitaxiale d'émission émet le feu bleu ou vert correspondant à l'espace de bande de la couche active. Le substrat absorbe une partie du feu bleu ou vert et fait la fluorescence d'une plus longue longueur d'onde. La lumière neutre de couleur ou la lumière blanche est émise de la LED. Le substrat fluorescent est dopant de n-AlGaAs(Si), dopant de GaP(Zn+O), dopant de ZnSe(Cu+I, d'Ag+I, d'Al+I), GaN(O.C.Va(N) dopant) ou ainsi.