The present invention provides a MOSFET device comprising: a substrate including a plurality of atomic ridges, each of the atomic ridges including a semiconductor layer comprising Si and an dielectric layer comprising a Si compound; a plurality nanogrooves between the atomic ridges; at least one elongated molecule located in at least one of the nanogrooves; a porous gate layer located on top of the plurality of atomic ridges. The present invention also provides a membrane comprising: a substrate; and a plurality of nanowindows in the substrate and a method for forming nanowindows in a substrate.

De onderhavige uitvinding verstrekt een MOSFET apparaat bestaand uit: een substraat met inbegrip van een meerderheid van atoomranden, elk van de atoomranden met inbegrip van een halfgeleiderlaag uit Si bestaan en een diëlektrische laag die uit een samenstelling van Si bestaan; een meerderheid nanogrooves tussen de atoomranden; minstens één verlengde molecule die in minstens één van nanogrooves wordt gevestigd; een poreuze poortlaag die bovenop de meerderheid van atoomranden wordt gevestigd. De onderhavige uitvinding verstrekt ook een membraan bestaand uit: een substraat; en een meerderheid van nanowindows in het substraat en een methode om nanowindows in een substraat zich te vormen.