A method and apparatus for production of high-resolution laser-induced damage images by small etch points is based on generation of the initial electron density in the relatively large volume, creation of the breakdown at a small part of the said volume and control of the energy amount enclosed inside the plasma. The method uses two laser radiations: the first has comparatively long pulse width, its energy does not exceed damage threshold value, and it is focused at relatively large focal spot; the second has shorter pulse duration, it is focused at smaller spot and its energy exceeds appropriate threshold value. The system produces laser-induced damage images by joint using of an optical scanner (deflector) and a drive table for movement of article. The system works without interruption of article movement relative to the laser beam and creates image areas with different brightness by modulation of article replacement speed and frequency of scanning.

Метод и прибор для продукции high-resolution лазер-navedennyx изображений повреждения малыми пунктами etch основаны на поколении первоначально плотности электрона в относительно большом томе, творении нервного расстройства на малой части сказанного тома и управлении количества энергии заключенного внутри плазмы. Метод использует 2 радиации лазера: первое имеет сравнительно длиннюю ширину ИМПА ульс, своя энергия не превышает порогового значение повреждения, и она сфокусирована на относительно большом фокусном пятне; секунда имеет более скоро длительность умпульса, она сфокусирована на более малом пятне и своя энергия превышает соотвествующий порогового значение. Система производит лазер-navedennye изображения повреждения совместным использованием оптически блока развертки (дефлектора) и таблицы привода для движения статьи. Система работает без перерыва движения статьи по отношению к лазерныйа луч и создает зоны изображения с по-разному яркостью модуляцией скорости замены статьи и частотой скеннирования.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Phosphabenzene compounds and their use in hydroformylation

> Method of forming a semiconductor contact that includes selectively removing a Ti-containing layer from the surface

> (none)

~ 00058