Methods for removing titanium-containing layers from a substrate surface where those titanium-containing layers are formed by chemical vapor deposition (CVD) techniques. Titanium-containing layers, such as titanium or titanium nitride, formed by CVD are removed from a substrate surface using a sulfuric acid (H.sub.2 SO.sub.4) solution. The H.sub.2 SO.sub.4 solution permits selective and uniform removal of the titanium-containing layers without detrimentally removing surrounding materials, such as silicon oxides and tungsten. Where the titanium-containing layers are applied to the sidewalls of a hole in the substrate surface and a plug material such as tungsten is used to fill the hole, subsequent spiking of the H.sub.2 SO.sub.4 solution with hydrogen peroxide (H.sub.2 O.sub.2) may be used to recess the titanium-containing layers and the plug material below the substrate surface.

Los métodos para quitar titanio-contener acodan de una superficie del substrato donde ésos titanio-que contienen capas son formados por técnicas de la deposición de vapor químico (CVD). Titanio-contener capas, tales como nitruro titanium o titanium, formó por CVD se quita de una superficie del substrato usando una solución del ácido sulfúrico (H.sub.2 SO.sub.4). La solución de H.sub.2 SO.sub.4 permite el retiro selectivo y uniforme de las capas titanio-que contienen sin perjudicial quitar los materiales circundantes, tales como óxidos del silicio y tungsteno. Donde las capas titanio-que contienen se aplican a los flancos de un agujero en la superficie del substrato y un material del enchufe tal como tungsteno se utiliza para llenar el agujero, el clavar subsecuente de la solución de H.sub.2 SO.sub.4 con el peróxido de hidrógeno (H.sub.2 O.sub.2) se puede utilizar para ahuecar las capas titanio-que contienen y el material del enchufe debajo de la superficie del substrato.