A method and apparatus for depositing a low dielectric constant film by reaction of an organo silane compound and an oxidizing gas. The oxidized organo silane film has excellent barrier properties for use as a liner or cap layer adjacent other dielectric layers. The oxidized organo silane film can also be used as an etch stop or an intermetal dielectric layer for fabricating dual damascene structures. The oxidized organo silane films also provide excellent adhesion between different dielectric layers. A preferred oxidized organo silane film is produced by reaction of methyl silane, CH.sub.3 SiH.sub.3, and N.sub.2 O.

Une méthode et un appareil pour déposer un bas film de constante diélectrique par la réaction d'un composé de silane d'organo et d'un gaz d'oxydation. Le film oxydé de silane d'organo a d'excellentes propriétés de barrière pour l'usage comme couche de recouvrement ou de chapeau adjacente d'autres couches de diélectrique. Le film oxydé de silane d'organo peut également être employé comme un arrêt gravure à l'eau forte ou une couche diélectrique intermetal pour fabriquer les structures damascènes duelles. Les films oxydés de silane d'organo fournissent également l'excellente adhérence entre différentes couches diélectriques. Un film oxydé préféré de silane d'organo est produit par la réaction du silane méthylique, du CH.sub.3 SiH.sub.3, et du N.sub.2 O.