A method and apparatus for depositing a low dielectric constant film by reaction of an organo silane compound and an oxidizing gas. The oxidized organo silane film has excellent barrier properties for use as a liner or cap layer adjacent other dielectric layers. The oxidized organo silane film can also be used as an etch stop or an intermetal dielectric layer for fabricating dual damascene structures. The oxidized organo silane films also provide excellent adhesion between different dielectric layers. A preferred oxidized organo silane film is produced by reaction of methyl silane, CH.sub.3 SiH.sub.3, and N.sub.2 O.

Eine Methode und ein Apparat für das Niederlegen eines niedrigen Dielektrizitätskonstantefilmes durch Reaktion eines organo Siliziumwasserstoffmittels und des oxidierenden Gases. Der oxidierte organo Siliziumwasserstofffilm hat ausgezeichnete Sperre Eigenschaften für Gebrauch als angrenzende Zwischenlage- oder Kappenschicht andere Nichtleiterschichten. Der oxidierte organo Siliziumwasserstofffilm kann wie ein Ätzunganschlag oder eine intermetal dielektrische Schicht für das Fabrizieren der damascene Verdoppelungstrukturen auch benutzt werden. Die oxidierten organo Siliziumwasserstofffilme liefern auch ausgezeichnete Adhäsion zwischen unterschiedlichen dielektrischen Schichten. Ein bevorzugter oxidierter organo Siliziumwasserstofffilm wird durch Reaktion des Methyl- Siliziumwasserstoffs, des CH.sub.3 SiH.sub.3 und des N.sub.2 O produziert.