An OCB device comprises upper and lower substrates, each provided with an alignment layer. A liquid crystal layer is provided between the substrates. The lower substrate has a low pre-tilt in regions A and C, so that an H-state is stable in these regions when no voltage is applied across the liquid crystal layer. Region B has a high pre-tilt on the lower substrate, so that a HAN state is stable in region B under zero applied voltage. When a voltage is applied across the liquid crystal lever, a V-state is formed at the interface between the HAN-state and the H-states. This V-state then displaces the H-states in regions A and C. The high pre-tilt region, region B, is acting as a nucleation region. The V-state forms at a lower applied voltage than if the nucleation region is not provided.

Eine OCB Vorrichtung enthält die oberen und untereren Substrate, jedes, das mit einer Ausrichtung Schicht versehen wird. Eine flüssige Kristallschicht wird zwischen den Substraten zur Verfügung gestellt. Das unterere Substrat hat ein niedriges vor-kippen in Regionen A und C, damit ein H-Zustand in diesen Regionen beständig ist, wenn keine Spannung über der flüssigen Kristallschicht angewendet wird. Region B hat ein hohes vor-kippen auf das unterere Substrat, damit ein HAN Zustand in Region B unter null angewandter Spannung beständig ist. Wenn eine Spannung über dem flüssigen Kristallhebel angewendet wird, wird ein V-Zustand an der Schnittstelle zwischen dem HAN-Zustand und den H-Zuständen gebildet. Dieser V-Zustand verlegt dann die H-Zustände in Regionen A und C. Die hohen vor-kippen Region, Region B, dient als eine Kernbildungregion. Der V-Zustand bildet sich an einer niedrigeren angewandten Spannung als, wenn die Kernbildungregion nicht zur Verfügung gestellt wird.