The memory device includes a memory array of memory cells, and intersecting word lines and bit lines. At one end of the array, a bank of read/write select switches selectively couples the bit lines to a column write current source, and to a reference potential voltage. A bank of sense amplifier select switches selectively couples the bit lines to a sense amplifier, which is also at the reference potential voltage. Each switch in the bank of sense amplifier select switches may be closed to allow the sense amplifier to sense the binary state of a selected memory cell. The switches in the bank of read/write select switches may each be closed to couple a selected bit line to reference potential voltage. During read operations, the bank of sense amplifier select switches and the bank of read write select switches are operated so that ends of the bit lines are coupled to the reference potential voltage, so that the memory array remains in an equipotential state. Because the memory array remains in the equipotential state, no settling time is required for the memory array due to multiplexing to the sense amplifier. Read operations are therefore faster than in conventional devices.

El dispositivo de memoria incluye las líneas de la memoria de una palabra del arsenal de células de memoria, y el intersecarse y mordió líneas. En un final del arsenal, un banco de interruptores selectos de lectura/grabación junta selectivamente las líneas del pedacito a una columna escribe fuente de la corriente, y a un voltaje del potencial de la referencia. Un banco de los interruptores selectos del amplificador del sentido junta selectivamente las líneas del pedacito a un amplificador del sentido, que está también en el voltaje del potencial de la referencia. Cada interruptor en el banco de los interruptores selectos del amplificador del sentido se puede cerrar para permitir que el amplificador del sentido detecte el estado binario de una célula de memoria seleccionada. Los interruptores en el banco de interruptores selectos de lectura/grabación se pueden cada uno cerrar para juntar una línea seleccionada del pedacito para referirse a voltaje potencial. Durante operaciones leídas, el banco de los interruptores selectos del amplificador del sentido y el banco de leído escriben los interruptores selectos se funcionan para juntar los extremos de las líneas del pedacito al voltaje potencial de la referencia, de modo que siga habiendo el arsenal de la memoria en un estado equipotential. Porque sigue habiendo el arsenal de la memoria en el estado equipotential, no se requiere ninguna hora que coloca para el arsenal de la memoria debido a la multiplexación al amplificador del sentido. Las operaciones leídas están por lo tanto más rápidamente que en dispositivos convencionales.