A p-n tunnel junction between a p-type semiconductor layer and a n-type semiconductor layer provides current injection for an nitride based vertical cavity surface emitting laser or light emitting diode structure. The p-n tunnel junction reduces the number of p-type semiconductor layers in the nitride based semiconductor VCSEL or LED structure which reduces the distributed loss, reduces the threshold current densities, reduces the overall series resistance and improves the structural quality of the laser by allowing higher growth temperatures.

Een p-n tunnelverbinding tussen een p-type halfgeleiderlaag en een n-type halfgeleiderlaag verstrekt huidige injectie die voor een nitride gebaseerde verticale holteoppervlakte laser of lichte uitzendende diodestructuur uitzendt. De p-n tunnelverbinding vermindert het aantal p-type halfgeleiderlagen in de nitride gebaseerde halfgeleider VCSEL of LEIDENE structuur die het verdeelde verlies, vermindert de drempel vermindert de huidige dichtheid, de algemene reeksweerstand vermindert en de structurele kwaliteit van de laser door hogere de groeitemperaturen toe te staan verbetert.