An integrated circuit and manufacturing method therefor is provided having a semiconductor substrate with a semiconductor device. A dielectric layer is on the semiconductor substrate and has an opening provided therein. A high temperature superconductor material barrier layer lines the opening and a seed layer is deposited to line the superconductor material barrier layer. A seed layer and a conductor core fills the opening over the barrier layer to form a conductor channel. The superconductor material barrier layer can be of yttrium barium copper oxide deposited by a process, such as laser ablation (LA), chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD), or self-ionized plasma (SIP) deposition on a low dielectric constant dielectric layer and having a copper seed layer deposited thereon by SIP deposition.

Un metodo di fabbricazione e del circuito integrato per questo è fornito avendo un substrato a semiconduttore di un dispositivo a semiconduttore. Uno strato dielettrico è sul substrato a semiconduttore ed ha un'apertura fornita in ciò. Uno strato di sbarramento materiale di superconductor di temperatura elevata allinea l'apertura e uno strato del seme è depositato per allineare lo strato di sbarramento materiale di superconductor. Uno strato del seme e un nucleo del conduttore riempie l'apertura sopra lo strato di sbarramento per formare una scanalatura del conduttore. Lo strato di sbarramento materiale di superconductor può essere dell'ossido di rame del bario dell'ittrio depositato tramite un processo, quale ablazione del laser (LA), il deposito di vapore chimico (CVD), il deposito atomico di strato (ALD), o il deposito auto-ionizzato del plasma (SIP) su uno strato dielettrico basso e su un fare di costante dielettrico uno strato di rame del seme depositare su ciò tramite il deposito del SIP.