A capacitor structure is formed over a semiconductor substrate by atomic layer deposition to achieve uniform thickness in memory cell dielectric layers, particularly where the dielectric layer is formed in a container-type capacitor structure. In accordance with several embodiments of the present invention, a process for forming a capacitor structure over a semiconductor substrate is provided. Other embodiments of the present invention relate to processes for forming memory cell capacitor structures, memory cells, and memory cell arrays. Capacitor structures, memory cells, and memory cell arrays are also provided.

Uma estrutura do capacitor é dada forma sobre uma carcaça do semicondutor pelo deposition atômico da camada para conseguir a espessura uniforme nas camadas dieléctricas da pilha de memória, particularmente onde a camada dieléctrica é dada forma em um recipiente-tipo estrutura do capacitor. De acordo com diversas incorporações da invenção atual, um processo para dar forma a uma estrutura do capacitor sobre uma carcaça do semicondutor é fornecido. Outras incorporações da invenção atual relacionam-se aos processos para dar forma a estruturas do capacitor da pilha de memória, a pilhas de memória, e a disposições de pilha da memória. As estruturas do capacitor, as pilhas de memória, e as disposições de pilha da memória são fornecidas também.