A two-step etch method for etching a masked layer or layers that include fast and slow etching regions is described. Fast and slow etching regions may arise in a variety of devices, such as microelectrical mechanical system ("MEMS") applications and mixed signal (i.e. analog and digital) integrated circuits, as well as other integrated circuits and devices. In one embodiment, a first etchant is used to etch through the layer in the fastest etching region, and then a second etchant is used to complete etching through the layer in the slowest etching region.

Une méthode en deux étapes gravure à l'eau forte pour graver à l'eau-forte une couche ou des couches masquée qui incluent des régions rapides et lentes gravure à l'eau-forte est décrite. Les régions rapides et lentes gravure à l'eau-forte peuvent surgir dans une variété de dispositifs, tels qu'applications mécaniques microelectrical du système (des "MEMS") et des circuits intégrés mélangés de signal (c.-à-d. analogue et numérique), aussi bien que d'autres circuits intégrés et dispositifs. Dans une incorporation, un premier etchant est employé pour graver à l'eau-forte par la couche dans la région gravure à l'eau-forte la plus rapide, et alors un deuxième etchant est employé pour accomplir gravure à l'eau-forte par la couche dans la région gravure à l'eau-forte la plus lente.