The present invention provides a metal contact of SiGe combined with cobalt silicide and cobalt. The contact resistance is greatly lowered due to both the low Schottky Barrier Height of SiGe and the low sheet resistance of cobalt silicide. The cobalt layer can serve as a glue layer and diffusion barrier layer. Thus, no additional glue layer or diffusion barrier layer needs to be formed. Moreover, the metal contact of the present invention can be integrated with a DRAM by a hybrid contact method. Implantation contact is used in pFET regions and diffusion contact is used in nFET regions. This can reduce mask steps and production costs.

La presente invenzione fornisce un contatto del metallo di SiGe unito con il silicide del cobalto ed il cobalto. La resistenza del contatto è notevolmente abbassato dovuto sia l'altezza bassa della barriera dello Schottky di SiGe che la resistenza di foglio bassa del silicide del cobalto. Lo strato del cobalto può servire da strato della colla e strato della barriera di diffusione. Quindi, nessuno strato supplementare della colla o lo strato della barriera di diffusione deve essere formato. Inoltre, il contatto del metallo di presente invenzione può essere integrato con un DRAM con un metodo ibrido del contatto. Il contatto di impianto è usato nelle regioni del pFET ed il contatto di diffusione è usato nelle regioni del nFET. Ciò può ridurre i punti della mascherina ed i costi di produzione.