A Si substrate 1 with a SiGeC crystal layer 8 deposited thereon is annealed to form an annealed SiGeC crystal layer 10 on the Si substrate 1. The annealed SiGeC crystal layer includes a matrix SiGeC crystal layer 7, which is lattice-relieved and hardly has dislocations, and Sic microcrystals 6 dispersed in the matrix SiGeC crystal layer 7. A Si crystal layer is then deposited on the annealed SiGeC crystal layer 10, to form a strained Si crystal layer 4 hardly having dislocations.

Субстрат 1 кремния при слой 8 SiGeC crystal депозированный thereon обжжен для того чтобы сформировать обжженный слой 10 SiGeC crystal на субстрате 1 кремния. Обжженный слой SiGeC crystal вклюает слой 7 SiGeC матрицы crystal, который решетк-sbrowen и трудно имеет вывихивания, и разметанные microcrystals 6 Sic в слой 7 SiGeC матрицы crystal. Слой кремния crystal после этого депозирован на обжженном слое 10 SiGeC crystal, для того чтобы сформировать напрячьнный слой 4 кремния crystal трудно имея вывихивания.