A magneto-electronic component includes a first current line (120, 520, 620, 820) for generating a first magnetic field, a magnetic memory cell (140, 540, 640, 740, 840), and a second current line (170, 470) for generating a second magnetic field and substantially perpendicular to the first current line. The magnetic memory cell includes a multi-state memory layer having a structure adjacent to the first current line such that a magnetic flux emanating from the multi-state memory layer is substantially confined to wrap around the first current line. The second current line is located adjacent to a portion of the multi-state memory layer.

Un composant magnéto-électronique inclut une première ligne courante (120, 520, 620, 820) pour produire d'un premier champ magnétique, d'une cellule de mémoire magnétique (140, 540, 640, 740, 840), et d'une deuxième ligne courante (170, 470) pour produire d'un deuxième champ magnétique et essentiellement perpendiculaire à la première ligne courante. La cellule de mémoire magnétique inclut une couche de mémoire d'multi-état ayant une structure à côté de la première ligne courante tels qu'un flux magnétique émanant de la couche de mémoire d'multi-état est sensiblement confiné pour enrouler autour de la première ligne courante. La deuxième ligne courante est située à côté d'une partie de la couche de mémoire d'multi-état.