A ferromagnetic thin-film based digital memory having a plurality of bit structures interconnected with manipulation circuitry having a plurality of transistors so that each bit structure has transistors electrically coupled thereto that selectively substantially prevents current in at least one direction along a current path through that bit structure and permits selecting a direction of current flow through the bit structure if current is permitted to be established therein. A bit structure has a nonmagnetic intermediate layer with two major surfaces on opposite sides thereof and a memory film of an anisotropic ferromagnetic material on each of the intermediate layer major surfaces with an electrically insulative intermediate layer is provided on the memory film on which a magnetization reference layer is provided having a fixed magnetization direction.

Una memoria digital basada thin-film ferromagnética que tiene una pluralidad de estructuras del pedacito interconectadas con el trazado de circuito de la manipulación que tiene una pluralidad de transistores de modo que cada estructura del pedacito tenga transistores juntados eléctricamente además que previene selectivamente substancialmente la corriente en por lo menos una dirección a lo largo de una trayectoria actual a través de esa estructura del pedacito y permite el seleccionar de una dirección de la corriente atraviesa la estructura del pedacito si la corriente se permite para ser establecida en esto. Una estructura del pedacito tiene una capa intermedia no magnética con dos superficies importantes en lados opuestos de eso y una película de la memoria de un material ferromagnético anisotropic en cada uno de las superficies principales de la capa intermedia con una capa intermedia eléctricamente insulative se proporciona en la película de la memoria en la cual se proporciona una capa de la referencia de la magnetización teniendo una dirección fija de la magnetización.