A magnetic random access memory (MRAM) with a low write current, characterized in that an improved MRAM structure is composed of a plurality of conductive metal pillars disposed on both sides of a magnetic tunnel junction (MTJ) cell functioning as a memory cell. The conductive metal pillars generate a superposed magnetic field so as to reduce the write current into the MTJ cell, thereby reducing the power consumption during the operation of an MRAM. The metal pillars are formed by employing a modified mask so that a plurality of plugs are formed by via etching and metal deposition. Moreover, at least one turn of conductive metal coil is disposed near the memory cell. The enhanced magnetic field thus generated results in a lowered write current as well as reduced power consumption.

Een magnetisch directe toeganggeheugen (MRAM) met laag schrijft stroom wordt gekenmerkt, die in die zin dat een betere structuur MRAM uit een meerderheid van geleidende metaalpijlers die aan beide kanten van een cel die magnetische van de tunnelverbinding (MTJ) worden geschikt als geheugencel samengesteld is functioneert. De geleidende metaalpijlers produceren een boven elkaar geplaatst magnetisch gebied om te verminderen schrijven stroom in de cel MTJ, daardoor verminderend de machtsconsumptie tijdens de verrichting van een MRAM. De metaalpijlers worden gevormd door een gewijzigd masker aan te wenden zodat een meerderheid van stoppen langs via ets en metaaldeposito wordt gevormd. Voorts wordt minstens één draai van geleidende metaalrol geschikt dichtbij de geheugencel. De verbeterde magnetische gebieds zo geproduceerde resultaten in verminderd schrijven huidige evenals verminderde machtsconsumptie.