A method for sensing the resistance value of a resistor-based memory cell. A current is driven through all unused row lines of a memory array while grounding the row line associated with the selected cell, thereby forcing the current through a comparatively low equivalent resistance formed by the parallel coupling of all unselected memory cells and also through a comparatively high resistance of the selected memory cell. The voltage on a column line corresponding to the selected memory cell is then measured to ground. The voltage level corresponds to either one of two resistance values (i.e., signifying either a logic "HIGH" or a logic "LOW").

Μια μέθοδος για την αξία αντίστασης ενός αντιστάτης-βασισμένου στο κυττάρου μνήμης. Ένα ρεύμα οδηγείται μέσω όλων των αχρησιμοποίητων γραμμών σειρών μιας σειράς μνήμης στηρίζοντας τη γραμμή σειρών που συνδέεται με το επιλεγμένο κύτταρο, με αυτόν τον τρόπο αναγκάζοντας το ρεύμα μέσω μιας συγκριτικά χαμηλής ισοδύναμης αντίστασης που διαμορφώνεται από την παράλληλη σύζευξη όλων των unselected κυττάρων μνήμης και επίσης μέσω μιας συγκριτικά υψηλής αντίστασης του επιλεγμένου κυττάρου μνήμης. Η τάση σε μια γραμμή στηλών που αντιστοιχεί στο επιλεγμένο κύτταρο μνήμης μετριέται έπειτα στο έδαφος. Το επίπεδο τάσης αντιστοιχεί σε καθεμία μια από δύο τιμές αντίστασης (δηλ., δηλώνοντας είτε μια λογική "ΥΨΗΛΗ" είτε μια λογική "ΧΑΜΗΛΗ").