A method to fabricate a 1T-RAM device, comprising the following steps. A semiconductor substrate having an access transistor area and an exposed bottom plate within a capacitor area proximate the access transistor area is provided. A gate with an underlying gate dielectric layer within the access transistor area are formed. The gate and underlying gate dielectric layer having sidewall spacers formed over their respective exposed side walls. A top plate with an underlying capacitor layer over the bottom plate within the capacitor area are formed. The top plate and underlying capacitor layer having sidewall spacers formed over their respective exposed side walls. A patterned resist protect oxide (RPO) layer is formed over at least the drain of the structure not to be silicided. Metal silicide portions are formed over the structure not protected by the RPO layer.

Μια μέθοδος για να κατασκευάσει μια συσκευή 1TRAM, περιλαμβάνοντας τα ακόλουθα βήματα. Ένα υπόστρωμα ημιαγωγών που έχει μια περιοχή κρυσταλλολυχνιών πρόσβασης και ένα εκτεθειμένο κατώτατο πιάτο μέσα σε μια περιοχή πυκνωτών εγγύτατη η περιοχή κρυσταλλολυχνιών πρόσβασης παρέχεται. Μια πύλη με ένα ελλοχεύον διηλεκτρικό στρώμα πυλών μέσα στην περιοχή κρυσταλλολυχνιών πρόσβασης διαμορφώνεται. Η πύλη και το ελλοχεύον διηλεκτρικό στρώμα πυλών που έχουν sidewall τα πλήκτρα διαστήματος διαμορφωμένων πέρα από τους αντίστοιχους εκτεθειμένους πλευρικούς τοίχους τους. Ένα κορυφαίο πιάτο με ένα ελλοχεύον στρώμα πυκνωτών πέρα από το κατώτατο πιάτο μέσα στην περιοχή πυκνωτών διαμορφώνεται. Το κορυφαίο πιάτο και το ελλοχεύον στρώμα πυκνωτών που έχουν sidewall τα πλήκτρα διαστήματος διαμορφωμένων πέρα από τους αντίστοιχους εκτεθειμένους πλευρικούς τοίχους τους. Διαμορφωμένη αντιστέκεται προστατεύει το στρώμα οξειδίων (RPO) διαμορφώνεται πέρα από τουλάχιστον τον αγωγό της δομής για να μην είναι. Οι μερίδες μεταλλικής ένωσης πυριτίου μετάλλων διαμορφώνονται πέρα από τη δομή που δεν προστατεύεται από το στρώμα RPO.