A nonvolatile semiconductor memory device is described, which includes a memory cell array, a block address input circuit, and a block selection circuit. The memory cell array includes a plurality of normal blocks for storing normal data, and a plurality of boot blocks for storing boot codes initializing a system. Further, the nonvolatile semiconductor memory device has a plurality of boot block architecture options. The boot block input circuit receives an external block address, and coverts the external block address into an internal block address in accordance with selected one of a plurality of the boot block architecture options. Further, the block address input circuit includes an option selection portion having a pair of terminals. The block selection circuit selects one of the blocks of the memory cell array in response to the internal block address. The selection of one of the boot block architecture options is determined by electric connection/disconnection of the terminals of the option selection portion.

Μια αμετάβλητη συσκευή μνήμης ημιαγωγών περιγράφεται, η οποία περιλαμβάνει μια σειρά κυττάρων μνήμης, ένα κύκλωμα εισαγωγής διευθύνσεων φραγμών, και ένα κύκλωμα επιλογής φραγμών. Η σειρά κυττάρων μνήμης περιλαμβάνει μια πολλαπλότητα των κανονικών φραγμών για την αποθήκευση των κανονικών στοιχείων, και μια πολλαπλότητα των φραγμών μποτών για την αποθήκευση των κωδίκων μποτών που μονογράφουν ένα σύστημα. Περαιτέρω, η αμετάβλητη συσκευή μνήμης ημιαγωγών έχει μια πολλαπλότητα των επιλογών αρχιτεκτονικής φραγμών μποτών. Ο φραγμός μποτών εισήγαγε το κύκλωμα λαμβάνει μια εξωτερική διεύθυνση φραγμών, και τα κρησφύγετα η εξωτερική διεύθυνση φραγμών σε μια εσωτερική διεύθυνση φραγμών σύμφωνα με επιλεγμένη μια από μια πολλαπλότητα των επιλογών αρχιτεκτονικής φραγμών μποτών. Περαιτέρω, η διεύθυνση φραγμών εισήγαγε το κύκλωμα περιλαμβάνει μια μερίδα επιλογής επιλογής που έχει ένα ζευγάρι των τερματικών. Το κύκλωμα επιλογής φραγμών επιλέγει ενός από τους φραγμούς της σειράς κυττάρων μνήμης σε απάντηση στην εσωτερική διεύθυνση φραγμών. Η επιλογή μια από τις επιλογές αρχιτεκτονικής φραγμών μποτών καθορίζεται από την ηλεκτρικές σύνδεση/την αποσύνδεση των τερματικών της μερίδας επιλογής επιλογής.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor device including capacitor with lower electrode including iridium and iridium oxide layers

< Adjustable circuits for analog or multi-level memory

> Method to modify 0.25.mu.m 1T-RAM by extra resist protect oxide (RPO) blocking

> Semiconductor storage device

~ 00072