A semiconductor memory device includes: a capacitor formed on a substrate and including a lower electrode, a dielectric film and an upper electrode; a selection transistor formed at the substrate; an electrically conductive plug for providing electrical connection between the selection transistor and the capacitor; and a diffusion barrier film provided between the electrically conductive plug and the lower electrode of the capacitor. The diffusion barrier film is a Ta.sub.x Si.sub.1-x N.sub.y film or a Hf.sub.x Si.sub.1-x N.sub.y film (where 0.2 Μια συσκευή μνήμης ημιαγωγών περιλαμβάνει: ένας πυκνωτής που διαμορφώνεται σε ένα υπόστρωμα και συμπεριλαμβανομένου ενός χαμηλότερου ηλεκτροδίου, μιας διηλεκτρικής ταινίας και ενός ανώτερου ηλεκτροδίου μια κρυσταλλολυχνία επιλογής που διαμορφώνεται στο υπόστρωμα ένα ηλεκτρικά αγώγιμο βούλωμα για την παροχή της ηλεκτρικής σύνδεσης μεταξύ της κρυσταλλολυχνίας επιλογής και του πυκνωτή και μια ταινία εμποδίων διάχυσης που παρέχεται μεταξύ του ηλεκτρικά αγώγιμου βουλώματος και του χαμηλότερου ηλεκτροδίου του πυκνωτή. Η ταινία εμποδίων διάχυσης είναι ένα Ta.sub.x ση.σuψ.1-Χ ταινία N.sub.y ή ένα Hf.sub.x ση.σuψ.1-Χ ταινία N.sub.y (όπου 0,2