A thermal infrared detector has a readout circuit and a plurality of pixels patterned on a substrate at a pitch p, which is the range of from 15 to 50 micrometers. Each of the pixels has a photo-sensitive bolometer thin film area that is spaced from the substrate and supported by two beams which contain interconnections between the photosensitive area and the readout circuit. The length of each of the beams is determined by the patterning accuracy of a stepper used to produce the thermal infrared detector, based upon a beam length index calculated by dividing the length of each beam by one-quarter of the peripheral length of the pixel. The beam length index may be approximated by an expression using the pixel pitch, the thermal conductivity of the interconnection material, etc. as parameters in an equation representing temperature resolution.

Un detector infrarrojo termal tiene un circuito de lectura y una pluralidad de pixeles modelados en un substrato en una echada p, que es la gama a partir de 15 a 50 micrómetros. Cada uno de los pixeles tiene un área fotosensible de la película fina del bolómetro que se espacie del substrato y sea apoyada por dos vigas que contengan interconexiones entre el área fotosensible y el circuito de lectura. La longitud de cada uno de las vigas es determinada por la exactitud que modela de un de pasos usado al producto el detector infrarrojo termal, basado sobre un índice de la longitud de la viga calculado dividiendo la longitud de cada viga por un cuarto de la longitud periférica del pixel. El índice de la longitud de la viga se puede aproximar por una expresión usando la echada del pixel, la conductividad termal del material de la interconexión, el etc. como parámetros en una ecuación que representa la resolución de la temperatura.