There is disclosed a magnetoresistive tunnel junction element comprising a
tunnel multilayered film in which a tunnel barrier layer, and a
ferromagnetic free layer and a ferromagnetic pinned layer formed to
sandwich the tunnel barrier layer therebetween are laminated, wherein a
pinning layer for pinning magnetization of the ferromagnetic pinned layer
is laminated on the surface of the ferromagnetic pinned layer opposite to
the surface thereof contacting the tunnel barrier layer, a bias magnetic
field applying layer is formed on the surface of the ferromagnetic free
layer opposite to the surface thereof contacting the tunnel barrier layer,
the bias magnetic field applying layer is a laminate of a nonmagnetic
noble metal layer and an antiferromagnetic layer, and the ferromagnetic
free layer is magnetically exchange-coupled to the antiferromagnetic layer
via the nonmagnetic noble metal layer so that a bias magnetic field can be
applied to the ferromagnetic free layer, and therefore stability of a
magnetization rotating operation of the free layer with respect to a
magnetic field signal is superior.
Er onthuld een magnetoresistive element van de tunnelverbinding bestaand wordt uit een tunnel multilayered film waarin een laag van de tunnelbarrière, en een ferromagnetische vrije laag en een ferromagnetische gespelde laag die wordt gevormd om de laag van de tunnelbarrière te klemmen gelamineerd is, waarin een het spelden laag voor het spelden van magnetisering van de ferromagnetische gespelde laag op de oppervlakte van de ferromagnetische gespelde laag tegengesteld aan de oppervlakte daarvan contacterend de laag van de tunnelbarrière gelamineerd is, een bias magnetisch gebied dat laag toepast wordt gevormd op de oppervlakte van de ferromagnetische vrije laag tegengesteld aan de oppervlakte daarvan contacterend de laag van de tunnelbarrière therebetween, is het bias magnetische gebied dat laag toepast een laminaat van een niet-magnetische edele metaallaag en een antiferromagnetic laag, tunnel barrier layer, and a ferromagnetic free layer and a ferromagnetic pinned layer formed to sandwich the tunnel barrier layer therebetween are laminated, wherein a pinning layer for pinning magnetization of the ferromagnetic pinned layer is laminated on the surface of the ferromagnetic pinned layer opposite to the surface thereof contacting the tunnel barrier layer, a bias magnetic field applying layer is formed on the surface of the ferromagnetic free layer opposite to the surface thereof contacting the tunnel barrier layer, the bias magnetic field applying layer is a laminate of a nonmagnetic noble metal layer and an antiferromagnetic layer, and the ferromagnetic free de laag wordt magnetisch uitwisseling-gekoppeld aan de antiferromagnetic laag via de niet-magnetische edele metaallaag zodat een bias magnetisch gebied op de ferromagnetische vrije laag kan worden toegepast, en daarom is de stabiliteit van een magnetiserings roterende verrichting van de vrije laag met betrekking tot een magnetisch veld signaal superieur.
