Damascene or non-damascene processing when used with a method that includes (a) forming a mask having an opening therethrough on a structure, said opening having sidewalls; (b) implanting an inhibiting species into said structure through the opening so as to form an inhibiting region in said structure; and (c) growing a dielectric layer on the structure in said opening, wherein the inhibiting region partially inhibits growth of the dielectric layer is capable of forming a semiconductor structure, e.g., MOSFET or anti-fuse, including a dual thickness dielectric layer. Alternatively, the dual thickness dielectric can be formed by replacing the inhibiting species mentioned above with a dielectric growth enhancement species which forms an enhancing region in the structure which aids in the growth of the dielectric layer.

Damascene или нон-non-damascene обрабатывая при использовании с методом вклюает (a) формирующ маску имея отверстие therethrough на структуре, сказанным отверстием имея стенки; (b) имплантировать блокируя вид в сказанную структуру через отверстие для того чтобы сформировать блокируя зону в сказанной структуре; и (c) расти диэлектрический слой на структуре в сказанном отверстии, при котором блокируя зона частично блокирует рост диэлектрического слоя способен формировать структуру полупроводника, например, mosfet или анти-splavl4et, включая двойной слой диэлектрика толщины. Друг, двойной диэлектрик толщины может быть сформирован путем заменять ть блокируя вид упомянутый выше с диэлектрическим видом повышения роста который формирует увеличивая зону в структуре которая помогает в росте диэлектрического слоя.