The present invention provides a memory device by using a single transistor, comprising a circuit including a gate of a memory cell and a P type well substrate for inputting(writing) information and another circuit including a source and a drain for outputting(reading) information. In other word, the memory device includes an information input/output circuit by using a pair of respective read and write terminals. The transistor comprises a source, a drain, and a ferroelectric element gate which are formed in a P type(or N type) well substrate. And the present invention provides a fabrication method for manufacturing the memory circuit, comprising depositing the P type (or N type) well structure on a Si wafer and forming the source, the drain and then the gate in the P type(or N type) well structure.

A invenção atual fornece um dispositivo de memória usando um único transistor, compreendendo um circuito including uma porta de uma pilha de memória e de um tipo carcaça do poço para a informação do inputting(writing) e um outro circuito including uma fonte e um dreno de P para a informação do outputting(reading). Na outra palavra, o dispositivo de memória inclui um circuito do input/output da informação usando um par da lida respectiva e escreve terminais. O transistor compreende uma fonte, um dreno, e uma porta ferroelectric do elemento que sejam dados forma em um tipo) do type(or N de P carcaça boa. E a invenção atual fornece um método da fabricação manufaturando o circuito de memória, compreendendo depositando o tipo de P (ou tipo de N) estrutura boa em um wafer de silicone e dando forma à fonte, o dreno e então a porta no tipo) do type(or N de P estrutura boa.