A semiconductor memory device including a memory cell block having a plurality of memory transistors formed on a semiconductor substrate. The memory transistors include first and second impurity-diffused regions and a gate formed therebetween. A plurality of memory cells are also included in the memory cell block and have lower electrodes connected to the first impurity-diffused regions, ferroelectric films formed on the lower electrodes and first upper electrodes formed on the ferroelectric films and connected to the second impurity-diffused regions. Further included are block selecting transistors formed on the semiconductor substrate and being connected to one end of the memory cell block. Second upper electrodes are also formed adjoined to the block selecting transistors and being disconnected from the first upper electrode of the memory cells.

Um dispositivo de memória do semicondutor including um bloco da pilha de memória que tem um plurality dos transistor da memória dados forma em uma carcaça do semicondutor. Os transistor da memória incluem primeiramente e as regiões em segundo impureza-difundidas e uma porta dada forma therebetween. Um plurality de pilhas de memória também é incluído no bloco da pilha de memória e tem uns elétrodos mais baixos conectados às primeiras regiões impureza-difundidas, películas ferroelectric dadas forma nos elétrodos mais baixos e nos primeiros elétrodos superiores dados forma nas películas ferroelectric e conectados às segundas regiões impureza-difundidas. Um incluídos mais adicionais são bloco que seleciona os transistor dados forma na carcaça do semicondutor e que estão sendo conectados a uma extremidade do bloco da pilha de memória. Os elétrodos em segundo superiores são dados forma também sidos contíguo com ao bloco que seleciona transistor e sendo desconectado do primeiro elétrodo superior das pilhas de memória.