An n-side-up type group III nitride semiconductor light-emitting device fabricated from an epitaxial wafer having group III nitride semiconductor crystal layers with different crystal structures, i.e., cubic and hexagonal systems. A buffer layer of a boron phosphide (BP) based material, a cubic p-type single crystal layer of a BP based material, a cubic p-type group III nitride semiconductor crystal layer, and a hexagonal n-type group III nitride semiconductor crystal layer are successively formed on a substrate of a p-type conduction Si single crystal. The temperatures for the formation of the above-mentioned buffer layer, cubic p-type group III nitride semiconductor crystal layer, and a hexagonal n-type group III nitride semiconductor crystal layer are desirably in preferred ranges.

Un tipo dispositivo luminescente del n-lado-para arriba del semiconductor del nitruro del grupo III fabricó de una oblea epitaxial que tenía capas cristalinas del semiconductor del nitruro del grupo III con diversas estructuras cristalinas, es decir, sistemas cúbicos y hexagonales. Una capa del almacenador intermediario de una materia prima del phosphide del boro (punto de ebullición), un p-tipo cúbico capa del solo cristal de una materia prima del punto de ebullición, un p-tipo cúbico capa cristalina del semiconductor del nitruro del grupo III, y un n-tipo hexagonal capa cristalina del semiconductor del nitruro del grupo III sucesivamente se forman en un substrato de un p-tipo cristal del silicio de la conducción solo. Las temperaturas para la formación de la capa antedicha del almacenador intermediario, del p-tipo cúbico capa cristalina del semiconductor del nitruro del grupo III, y de un n-tipo hexagonal capa cristalina del semiconductor del nitruro del grupo III son gamas deseable adentro preferidas.