A visible light source device is described based on a light emitting diode and a nanocluster-based film. The light emitting diode utilizes a semiconductor quantum well structure between n-type and p-type semiconductor materials on the top surface a substrate such as sapphire. The nanocluster-based film is deposited on the bottom surface of the substrate and can be derived from a solution of MoS.sub.2, MoSe.sub.2, WS.sub.2, and WSe.sub.2 particles of size greater than approximately 2 nm in diameter and less than approximately 15 nm in diameter, having an absorption wavelength greater than approximately 300 nm and less than approximately 650 nm.

Μια ορατή συσκευή πηγής φωτός περιγράφεται βασισμένος σε μια ελαφριά εκπέμποντας δίοδο και μια νανοθλuστερ-βασισμένη ταινία. Η ελαφριά εκπέμποντας δίοδος χρησιμοποιεί ένα κβάντο ημιαγωγών κτίζει καλά μεταξύ των υλικών ημιαγωγών ν-τύπων και π-τύπων στην κορυφαία επιφάνεια ένα υπόστρωμα όπως ο σάπφειρος. Η νανοθλuστερ-βασισμένη ταινία κατατίθεται στην κατώτατη επιφάνεια του υποστρώματος και μπορεί να προέλθει από μια λύση των μορίων MoS.sub.2, MoSe.sub.2, WS.sub.2, και WSe.sub.2 του μεγέθους μεγαλύτερων από περίπου 2 NM στη διάμετρο και λιγότερο από περίπου 15 NM στη διάμετρο, που έχει ένα μήκος κύματος απορρόφησης μεγαλύτερο από περίπου 300 NM και λιγότερο από περίπου 650 NM.