A light emitting device including a nucleation layer containing aluminum is disclosed. The thickness and aluminum composition of the nucleation layer are selected to match the index of refraction of the substrate and device layers, such that 90% of light from the device layers incident on the nucleation layer is extracted into the substrate. In some embodiments, the nucleation layer is AlGaN with a thickness between about 1000 and about 1200 angstroms and an aluminum composition between about 2% and about 8%. In some embodiments, the nucleation layer is formed over a surface of a wurtzite substrate that is miscut from the c-plane of the substrate. In some embodiments, the nucleation layer is formed at high temperature, for example between 900.degree. and 1200.degree. C. In some embodiments, the nucleation layer is doped with Si to a concentration between about 3e18 cm.sup.-3 and about 5e19 cm.sup.-3.

Un dispositivo que emite ligero incluyendo una capa del nucleation que contiene el aluminio se divulga. El grueso y la composición del aluminio de la capa del nucleation se seleccionan para emparejar índice de refracción de las capas del substrato y del dispositivo, tales que el 90% de luz del incidente de las capas del dispositivo en la capa del nucleation está extraído en el substrato. En algunas encarnaciones, la capa del nucleation es AlGaN con un grueso entre cerca de 1000 y cerca de 1200 angstromes y una composición de aluminio entre el cerca de 2% y el cerca de 8%. En algunas encarnaciones, la capa del nucleation se forma sobre una superficie de un substrato del wurtzite que sea miscut del c-plano del substrato. En algunas encarnaciones, la capa del nucleation se forma en la temperatura alta, por ejemplo entre 900.degree. y 1200.degree. C. En algunas encarnaciones, la capa del nucleation se dopa con el silicio a una concentración entre alrededor 3e18 cm.sup.-3 y sobre 5e19 cm.sup.-3.