A bond pad is formed by first providing a planarized combination of copper and silicon oxide features in a bond pad region. The silicon oxide features are etched back to provide a plurality recesses in the copper in the bond pad region. A corrosion barrier is formed over the copper and the silicon oxide features in the recesses. Probing of the wafer is done by directly applying the probe to the copper. A wire bond is directly attached to the copper. The presence of the features improves probe performance because the probe is likely to slip. Also the probe is prevented from penetrating all the way through the copper because the recessed features are present. With the recesses in the copper, the wire bond more readily breaks down and penetrates the corrosion barrier and is also less likely to slip on the bond pad.

Uma almofada bond é dada forma primeiramente fornecendo a planarized a combinação de características do óxido do cobre e do silicone em uma região da almofada bond. As características do óxido do silicone são gravadas para trás para fornecer rebaixos de um plurality no cobre na região da almofada bond. Uma barreira da corrosão é dada forma sobre o cobre e as características do óxido do silicone nos rebaixos. Sondar do wafer é feito diretamente aplicando a ponta de prova ao cobre. Uma ligação do fio é unida diretamente ao cobre. A presença das características melhora o desempenho da ponta de prova porque a ponta de prova é provável deslizar. A ponta de prova é impedida também de penetrar por completo o cobre porque as características recessed estão atuais. Com os rebaixos no cobre, a ligação do fio quebra mais prontamente para baixo e penetra a barreira da corrosão e é também mais menos provável deslizar na almofada bond.