A first chopper between a laser device and a semiconductor substrate chops
an excitation light at a specific frequency, and a second chopper between
the first chopper and the semiconductor substrate chops the excitation
light at a variable frequency higher than the first chopper. A
photoluminescence light emitted by the semiconductor substrate when the
semiconductor substrate is intermittently irradiated with the excitation
light is introduced into a monochromator. A controller obtains the decay
time constant T of the photoluminescence light from variation of the
average intensity of the photoluminescence light when gradually increasing
the chopping frequency of the excitation light by controlling the second
chopper, and computes the life time .tau. of the semiconductor substrate
from an expression ".tau.=T/C", where C is a constant. An object of the
invention is to accurately evaluate impurities, defects and the like in a
semiconductor substrate by obtaining quantitatively the life time of the
semiconductor substrate having a long life time.
Ein erster Zerhacker zwischen einer Laser Vorrichtung und einem Halbleitersubstrat hackt ein Erregunglicht bei einer spezifischen Frequenz, und ein zweiter Zerhacker zwischen dem ersten Zerhacker und dem Halbleitersubstrat hackt das Erregunglicht an eine variable Frequenz höher als der erste Zerhacker. Ein photoluminescence Licht, das durch das Halbleitersubstrat ausgestrahlt wird, wenn das Halbleitersubstrat stoßweise mit dem Erregunglicht bestrahlt wird, wird in einen Monochromator eingeführt. Ein Steuerpult erhält die Ausschwingzeit konstantes T vom photoluminescence Licht von der Veränderung der durchschnittlichen Intensität des photoluminescence Lichtes, wenn er stufenweise die hackende Frequenz des Erregunglichtes, indem er den zweiten Zerhacker steuert, und berechnet das Lebenzeit tau erhöht. vom Halbleitersubstrat von einem Ausdruck "tau.=T/C", wo C eine Konstante ist. Ein Gegenstand der Erfindung ist, Verunreinigungen, Defekte und dergleichen in einem Halbleitersubstrat genau auszuwerten, indem er quantitativ die Lebenzeit des Halbleitersubstrates erhält, das eine lange Lebenzeit hat.
