A highly dense chemically adsorbed film is formed by repeating the alternate process of adsorption reaction and washing. Adsorption reaction is directed by contacting the substrate surface, which has or is given an alkali metal or a functional group, with a chemical adsorbent, having halosilyl or alkoxysilyl groups at the end of molecules. An unreacted chemical adsorbent is then washed away from the substrate surface. The alternate treatment of adsorption reaction and washing is repeated, thereby covalently bonding a chemically adsorbed film to the substrate surface. As a result, a chemically adsorbed film is formed in which stem molecules are directly or indirectly covalently bonded to the substrate surface via at least one element chosen from the group consisting of Si, Ge, Sn, Ti, Zr, S or C and graft molecules are covalently bonded to at least one element chosen from Si, Ge, Sn, Ti, Zr, S or C via at least one bond chosen from --SiO--, --GeO--, SnO--, --TiO--, ZrO--, --SO.sub.2 --, --SO-- and --C--.

Een hoogst dichte chemisch geadsorbeerde film wordt gevormd door het afwisselende proces te herhalen van adsorptie reactie en het wassen. De reactie van de adsorptie wordt geleid door de substraatoppervlakte te contacteren, die een alkalimetaal of een functionele groep, met een chemisch adsorbens heeft of gegeven, dat halosilyl of alkoxysilylgroepen aan het eind van molecules heeft. Een unreacted chemisch adsorbens wordt dan gewassen vanaf de substraatoppervlakte. De afwisselende behandeling van adsorptiereactie en was wordt herhaald, daardoor covalent plakkend een chemisch geadsorbeerde film aan de substraatoppervlakte. Dientengevolge, wordt een chemisch geadsorbeerde film gevormd waarin de stammolecules direct of onrechtstreeks covalent op het substraat oppervlakte via minstens één element geplakt worden dat van de groep wordt gekozen die uit Si bestaan, worden Duitsland, Sn, Ti, Zr, S of C en de entmolecules covalent op minstens één element geplakt dat van Si, Duitsland, Sn, Ti, Zr, S of C via minstens één band wordt gekozen die van -- SiO --, wordt gekozen -- GeO --, SnO --, -- TiO --, ZrO --, -- SO.sub.2 --, ZO -- en CC --.