A process flow for forming a sacrificial collar (132) within a deep trench
(113) of a semiconductor memory cell. A nitride liner layer (120) is
deposited over a substrate (111). A thin polysilicon layer (122) is
deposited over the nitride liner layer (120), and an oxide layer (124) is
formed. A resist (116) is deposited within the trenches (113) and etched
back. The top portion of the oxide layer (124) is removed, and the resist
(116) is removed from the trenches (113). The wafer (100) is exposed to a
nitridation process to form a nitride layer (128) over exposed portions of
the polysilicon layer (122). The oxide layer (124) and polysilicon layer
(124) are removed from the bottom of the trenches. (113). The nitride
liner layer (120) is removed from the bottom of the trenches (113). The
polysilicon layer (122) is removed from the top of the trenches (113) to
leave a sacrificial collar (132) in the top of the trenches 113 formed by
nitride liner layer (120).
Μια ροή διαδικασίας για τη διαμόρφωση ενός θυσιαστικού περιλαίμιου (132) μέσα σε μια βαθιά τάφρο (113) ενός κυττάρου μνήμης ημιαγωγών. Ένα στρώμα σκαφών της γραμμής νιτριδίων (120) κατατίθεται πέρα από ένα υπόστρωμα (111). Ένα λεπτό στρώμα πολυπυρίτιων (122) κατατίθεται πέρα από το στρώμα σκαφών της γραμμής νιτριδίων (120), και ένα στρώμα οξειδίων (124) διαμορφώνεται. Αντισταθείτε (116) κατατίθεται μέσα στις τάφρους (113) και χαράζεται πίσω. Η κορυφαία μερίδα του στρώματος οξειδίων (124) αφαιρείται, και αντισταθείτε (116) αφαιρείται από τις τάφρους (113). Η γκοφρέτα (100) εκτίθεται σε μια διαδικασία nitridation για να διαμορφώσει ένα στρώμα νιτριδίων (128) πέρα από τις εκτεθειμένες μερίδες του στρώματος πολυπυρίτιων (122). Το στρώμα οξειδίων (124) και το στρώμα πολυπυρίτιων (124) αφαιρούνται από το κατώτατο σημείο των τάφρων. (113). Το στρώμα σκαφών της γραμμής νιτριδίων (120) αφαιρείται από το κατώτατο σημείο των τάφρων (113). Το στρώμα πολυπυρίτιων (122) αφαιρείται από την κορυφή των τάφρων (113) για να αφήσει ένα θυσιαστικό περιλαίμιο (132) στην κορυφή των τάφρων 113 που διαμορφώνονται από το στρώμα σκαφών της γραμμής νιτριδίων (120).
