An improved redundancy scheme for a memory matrix is disclosed. The memory matrix a plurality of memory cells interconnected in first and second directions. The memory cells are grouped into memory elements. A redundant memory element having a plurality of redundant memory cells is provided. The redundant memory element is segmented into R sections in the first direction, wherein R is a whole number greater to or equal to 2. By segmenting the redundant element into R sections, it can be used to repair defects in up to R different memory elements.

Un arrangement de redondance amélioré pour une matrice de mémoire est révélé. La matrice de mémoire que une pluralité de cellules de mémoire a reliée ensemble dedans d'abord et les deuxièmes directions. Les cellules de mémoire sont groupées dans des éléments de mémoire. Un élément superflu de mémoire ayant une pluralité de cellules de mémoire superflues est fourni. L'élément superflu de mémoire est segmenté dans des sections de R dans la première direction, où R est un nombre entier plus grand à ou égale à 2. En segmentant l'élément superflu dans des sections de R, il peut être employé pour réparer des défauts dans jusqu'à différents éléments de mémoire de R.