A conductive barrier, useful as a ferroelectric capacitor electrode, having high temperature stability has been provided. This conductive barrier permits the use of iridium (Ir) metal in IC processes involving annealing. Separating silicon substrate from Ir film with an intervening, adjacent, tantalum (Ta) film has been found to very effective in suppressing diffusion between layers. The Ir prevents the interdiffusion of oxygen into the silicon during annealing. A Ta or TaN layer prevents the diffusion of Ir into the silicon. This Ir/TaN structure protects the silicon interface so that adhesion, conductance, hillock, and peeling problems are minimized. The use of Ti overlying the Ir/TaN structure also helps prevent hillock formation during annealing. A method of forming a multilayer Ir conductive structure and Ir ferroelectric electrode are also provided.

Una barriera conduttiva, utile come elettrodo ferroelectric del condensatore, avendo stabilità a temperatura elevata è stata fornita. Questa barriera conduttiva consente l'uso del metallo (ir) dell'iridio nei processi di IC che coinvolgono la ricottura. Separando il substrato del silicone dalla pellicola ir con un intervento, adiacente, la pellicola del tantalio (l'AT) è stata trovata a molto efficace nella soppressione della diffusione fra gli strati. Il ir impedisce il interdiffusion di ossigeno nel silicone durante la ricottura. Uno strato di TaN o dell'AT impedisce la diffusione di ir nel silicone. Questa struttura di Ir/TaN protegge l'interfaccia del silicone in moda da minimizzare adesione, conduttanza, hillock e la sbucciatura dei problemi. L'uso di Ti che ricopre gli aiuti della struttura di Ir/TaN inoltre impedisce la formazione del hillock durante la ricottura. Un metodo di formare una struttura conduttiva ir a più strati e l'elettrodo ferroelectric ir inoltre sono forniti.