An electron emitter, such as for a display, has a substrate and regions of n-type material and p-type material on the substrate arranged such that there is an interface junction between the regions exposed directly to vacuum for the liberation of electrons. The p-type region may be a thin layer on top of the n-type region or the two regions may be layers on adjacent parts of the substrate with adjacent edges forming the interface junction. Alternatively, there many be multiple interface junctions formed by p-type particles or by both p-type and n-type particles. The particles may be deposited on the substrate by an ink-jet printing technique. The p-type material is preferably diamond, which may be activated to exhibit negative electron affinity.

Un emettitore dell'elettrone, quale per un'esposizione, ha un substrato e le regioni di n-tipo materiale e di p-tipo materiale sul substrato hanno organizzato tali che ci è una giunzione dell'interfaccia fra le regioni esposte direttamente al vuoto per la liberazione degli elettroni. Il p-tipo regione può essere uno strato sottile in cima al n-tipo regione o le due regioni possono essere strati sulle parti adiacenti del substrato con i bordi adiacenti che formano la giunzione dell'interfaccia. Alternativamente, là molte sono giunzioni multiple dell'interfaccia costituite da p-tipo particelle o sia da p-tipo che da n-tipo particelle. Le particelle possono essere depositate sul substrato da una tecnica di stampa del getto di inchiostro. Il p-tipo materiale è preferibilmente diamante, che può essere attivato per esibire l'affinità negativa dell'elettrone.