Photoresists and associated processes for microlithography in the extreme, far, and near UV are disclosed. The photoresists in some embodiments comprise (a) a fluorine-containing copolymer comprising a repeat unit derived from at least one ethylenically unsaturated compound characterized in that at least one ethylenically unsaturated compound is polycyclic and at least one ethylenically unsaturated compound contains at least one fluorine atom covalently attached to an ethylenically unsaturated carbon atom; and (b) at least one photoactive component. In other embodiments, the photoresist comprise a fluorine-containing copolymer comprising a repeat unit derived from at least one polycyclic ethylenically unsaturated compound having at least one atom or group selected from the group consisting of fluorine atom, perfluoroalkyl group, and perfluoroalkoxy group, characterized in that the at least one atom or group is covalently attached to a carbon atom which is contained within a ring structure and separated from each ethylenically unsaturated carbon atom of the ethylenically unsaturated compound by at least one coralently attached carbon atom. The photoresists have high transparency in the extreme/far UV as well as the near UV, high plasma etch resistance, and are useful for microlithography in the extreme, far, and near ultraviolet (UV) region, particularly at wavelengths .ltoreq.365 nm. Novel fluorine-containing copolymers are also disclosed.

Photoresists und verbundene Prozesse für microlithography im extremen, weiten und nahen UV werden freigegeben. Die Photoresists in einigen Verkörperungen enthalten (a) ein fluorhaltiges Copolymer, das eine Wiederholung Maßeinheit enthält, die von mindestens einem äthylenisch ungesättigten Mittel abgeleitet wird, das in diesem mindestens einem äthylenisch ungesättigten Mittel gekennzeichnet wird, ist polyzyklisch und mindestens enthält ein äthylenisch ungesättigtes Mittel mindestens ein Fluoratom, das kovalent zu einem äthylenisch ungesättigten Kohlenstoffatom angebracht wird; und (b) mindestens ein photoactive Bestandteil. In anderen Verkörperungen enthalten der Photoresist ein fluorhaltiges Copolymer, das eine Wiederholung Maßeinheit enthält, die von mindestens einem polyzyklischen äthylenisch ungesättigten Mittel abgeleitet werden, das mindestens ein Atom hat oder die Gruppe, die von der Gruppe vorgewählt wird, die aus Fluoratom bestehen, von der perfluoroalkyl Gruppe und von der perfluoroalkoxy Gruppe, dadurch gekennzeichnet, daß das mindestens ein Atom oder die Gruppe kovalent zu einem Kohlenstoffatom angebracht wird, das innerhalb einer Ringstruktur enthalten wird und von jedem äthylenisch ungesättigten Kohlenstoffatom des äthylenisch ungesättigten Mittels durch mindestens ein coralently angebrachtes Kohlenstoffatom getrennt. Die Photoresists haben hohes Transparent im extreme/far, das sowie den nahen UV-, hohen Plasmaätzungwiderstand UV ist, und sind für microlithography im extremen nützlich, weit, und nahe ultraviolette (UV) Region, besonders an den fluorhaltigen Copolymeren des Wellenlängen ltoreq.365 nm. Romans werden auch freigegeben.