Some advanced integrated circuits are fabricated as silicon-on-insulator structures, which facilitate faster operating speeds, closer component spacing, lower power consumption, and so forth. Unfortunately, current bonded-wafer techniques for making such structures are costly because they waste silicon. Accordingly, one embodiment of the invention provides a smart-bond technique that allows repeated use of a silicon wafer to produce hundreds and potentially thousands of silicon-on-insulator structures, not just one or two as do conventional methods. More precisely, the smart bond technique entails bonding selected first and second regions of a silicon substrate to an insulative substrate and then separating the two substrates to leave silicon protrusions or islands on the insulative substrate. The technique is also suitable to forming three-dimensional integrated circuits, that is, circuits having two or more circuit layers.

Alguns circuitos integrados avançados são fabricados como as estruturas do silicone-em-isolador, que facilitam velocidades mais rapidamente se operando, um afastamento componente mais próximo, um consumo de potência mais baixo, e assim por diante. Infelizmente, as técnicas atuais do lig-bonded-wafer para fazer tais estruturas são caras porque desperdiçam o silicone. Conformemente, uma incorporação da invenção fornece esperto-liga a técnica que permite o uso repetido de um wafer de silicone produzir centenas e potencial milhares de estruturas do silicone-em-isolador, não apenas uma ou dois como os métodos convencionais. Mais precisamente, a técnica bond esperta envolve a ligação selecionada primeiramente e as segundas regiões de uma carcaça do silicone a uma carcaça insulative e então a separar as duas carcaças sair de saliências ou de consoles do silicone na carcaça insulative. A técnica é também apropriada a dar forma a circuitos integrados tridimensionais, isto é, circuitos que têm dois ou mais camadas do circuito.